特許
J-GLOBAL ID:200903059286746195
研磨剤
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-288633
公開番号(公開出願番号):特開平9-193004
出願日: 1996年10月30日
公開日(公表日): 1997年07月29日
要約:
【要約】【課題】 シリコンに代表される半導体ウェハーの研磨やIC製造工程中での絶縁膜の研磨等に好適に使用される高純度で、保存安定性、研磨特性に優れた研磨剤を提供する。【解決手段】 水系溶媒に、平均一次粒子径が5〜30nmのヒュームドシリカを分散してなり、シリカ濃度1.5重量%における光散乱指数(n)が3〜6であり、且つ該分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が30〜100nmであり、好ましくは、pHが8〜13に調整されたシリカ分散液よりなる。
請求項(抜粋):
水系溶媒に、平均一次粒子径が5〜30nmのヒュームドシリカを分散してなり、シリカ濃度1.5重量%における光散乱指数(n)が3〜6であり、且つ該分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が30〜100nmであることを特徴とするシリカ分散液よりなる研磨剤。
IPC (3件):
B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, H01L 21/304 321
FI (3件):
B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, H01L 21/304 321 P
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭62-030333
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特開平3-060420
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特開昭58-225177
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