特許

J-GLOBAL ID：200903059288605955

半導体装置及びその製造方法

発明者： 三浦 千賀子 ,  大前 正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022897
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237004
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置における第1の電極の下端の両角による電界集中を緩和し、第1の電極の両側と第1及び第2の活性領域との重なり部分の大きさを制御する。【構成】 タングステンシリサイド層9とポリシリコン層8からなるコントロールゲート7の下部に、下端の両角が丸みを帯びているポリシリコン層からなるフローティングゲート5Aを形成し、このフローティングゲート5Aの丸みを帯びている両側とソース領域2及びドレイン領域3とが重なっている構造を有する。【効果】 第1の電極の下端から第1及び第2の活性領域へのリーク電流を防ぎ、第1の電極の両側と第1及び第2の活性領域との重なり部分の大きさを、半導体装置の特性上最適な大きさに制御できる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の活性領域を有する半導体基板と、この半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成された第1の電極と、この第1の電極上に第2の絶縁膜を介して形成された第2の電極とを備え、上記第1の電極の下端の両角が丸みを帯びた形状を成し、上記第1及び第2の活性領域と重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D