特許

J-GLOBAL ID：200903059289703055

容量内蔵型積層セラミック電子部品

発明者： 中川 伸二 ,  備前 達生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277744
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106196
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 セラミック層と内部電極との積層体の一部を切削することにより、機械的強度やQの低下を招いたり、耐候性の著しい低下を引き起こしたりすることなく、静電容量を広い範囲で調整することを可能にする。【構成】 内部電極2のパターンを、セラミック層1と内部電極2との積層体3の、内部電極2が形成された面と略垂直の面3aから浅い位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分2aが形成されるようなパターンとし、積層体3の、内部電極2が形成された面と略垂直の面3aから、積層体3の一部を所定の深さまで切削することにより、所定枚数の内部電極2の狭幅部分2aを切断して、内部電極2の対向面積を調整する。

請求項（抜粋）：

セラミック層と内部電極を積層することにより、セラミック層を介して内部電極を対向させた構造を有する容量内蔵型積層セラミック電子部品において、内部電極のパターンを、セラミック層と内部電極との積層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面から浅い位置に、他の部分よりも幅が狭い狭幅部分が形成されるようなパターンとし、積層体の、内部電極が形成された面と略垂直の面側から、積層体の一部を所定の深さまで切削することにより、所定枚数の内部電極の狭幅部分を切断できる構造としたことを特徴とする容量内蔵型積層セラミック電子部品。

IPC (3件)：

H01G 4/255 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/30 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-144812
  
• 特開昭56-085819