特許

J-GLOBAL ID：200903059297795406

半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： 辻井 太郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165464
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003886
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 電解メッキ時における異物あるいは水素ガスによる断線および成膜不良などを防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 被メッキ面を上に向けて設置されたシリコン基板上1に必要最小限のメッキ液4を供給し、超音波発振器6によりシリコン基板1を加振しながら給電層3に電位を与えて電解メッキを行い、絶縁膜2上に金属膜5を成膜する。このことによって、メッキ液中における異物混入の割合を低くすることができ、電解メッキ時における異物,水素ガスによる成膜不良,断面を防ぐことを可能にする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に対して電解メッキ法によって金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン基板の被メッキ面を上方に向けて、被メッキ面上にメッキ液を供給し、この状態においてシリコン基板を加振しながら、被メッキ面における給電層にメッキのための電位を与えることによって金属膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  C25D 5/20 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/3205 ,  C25D 3/38

FI (5件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 5/20 ,  C25D 7/12 ,  C25D 3/38 ,  H01L 21/88 B

Fターム (17件)：

4K023AA19 ,  4K023AB50 ,  4K023DA11 ,  4K024AA09 ,  4K024AA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CA12 ,  4K024CB26 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH13 ,  5F033AA05 ,  5F033BA12 ,  5F033BA17