特許
J-GLOBAL ID：200903059298454459
マルチビーム半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-047248
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251826
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 多数本のレーザが10μm程度の狭ピッチをもって配されて成るマルチビーム半導体レーザと配線基板との接触面積のばらつきを抑制すると共に、回転方向の合わせ裕度を大として、電極間の位置合わせが確実に行われるようにし、且つ各レーザビームに接続される電極を全数測定を行わずに選定できるようにして、マルチビーム半導体レーザ装置の歩留り及び生産性の向上をはかる。【構成】 独立制御の配線基板2を有するマルチビーム半導体レーザ装置において、レーザ1の電極1aのピッチPl に対し、配線基板2側の電極2aのピッチPs を、Ps =(1/n)Pl (nは2以上の整数)として構成する。
請求項（抜粋）：
独立制御の配線基板を有するマルチビーム半導体レーザ装置において、レーザの電極のピッチPl に対し、配線基板側の電極のピッチPs がPs =(1/n)Pl (nは2以上の整数)とされたことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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