特許

J-GLOBAL ID：200903059298906422

半導体圧力センサ及びその製造方法

発明者： 佐藤 公敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283712
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、平坦かつ均一な厚さでしかも薄いダイヤフラムが簡単に得られ、小型で高精度な半導体圧力センサ及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 第1のシリコン基板12と第2のシリコン基板11とは、界面絶縁膜8により貼り合わされ、第2のシリコン基板11の表面には、ゲージ抵抗1等のデバイスが形成されている。界面絶縁膜8は、真空室14の凹部に形成してもよく、界面絶縁膜は2層構造としてもよい。また、アライメントマークを形成することにより、正確に位置合わせをして基板を貼り合わせることができる。

請求項（抜粋）：

表面に真空室となる凹部が形成された第1のシリコン基板と、この第1のシリコン基板の表面に貼り合わされ、表面に拡散抵抗、拡散配線などのデバイスが形成された第2のシリコン基板と、上記第1のシリコン基板の表面と上記第2のシリコン基板の裏面との間に介在する界面絶縁膜と、上記第2のシリコン基板の表面に形成され、上記デバイスを保護するシリコン酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-030188
  
• 特開昭62-081773
  
• 特開昭61-131566
  
• 特開昭61-119080