特許

J-GLOBAL ID：200903059305345369

チップ型サーミスタ

発明者： 中島 弘明 ,  石川 良彦 ,  片岡 秀人 ,  越村 正己
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324211
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183105
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 焼付け電極層形成時のガラス層や焼付け電極層の保形性が良好でガラス層表面が平滑で見栄えが良い。はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ焼付け電極層のめっき処理による抵抗値変化がなく高い信頼性と高い抗折強度を得る。【構成】 チップ型サーミスタ10はサーミスタ素体11と素体両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラス層14と素体両端面を含む両端部に設けられた一対の端子電極12を備える。電極12は素体両端部に形成された焼付け電極層16とこの電極層の表面に形成されためっき層18,19を有する。ガラス層14の一部又は全部が素体表面上に形成された結晶化ガラスの下ガラス層14aと下ガラス層上に形成された密閉性を有する非晶質ガラスの上ガラス層14bとにより構成される。結晶化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が400〜1000°Cの範囲にあって、その結晶化温度が前記ガラス転移点より高い。

請求項（抜粋）：

サーミスタ素体(11)と、前記サーミスタ素体(11)の両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラス層(14)と、前記サーミスタ素体(11)の両端面を含む両端部に設けられた一対の端子電極(12,12)とを備え、前記一対の端子電極(12,12)が前記サーミスタ素体(11)の両端部に形成された焼付け電極層(16)と前記焼付け電極層(16)の表面に形成されためっき層(18,19)をそれぞれ有するチップ型サーミスタ(10)において、前記ガラス層(14)の一部又は全部が前記素体表面上に形成された結晶化ガラスからなる下ガラス層(14a)と前記下ガラス層(14a)の上に形成された密閉性を有する非晶質ガラスからなる上ガラス層(14b)とにより構成され、前記結晶化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が400〜1000°Cの範囲にあって、その結晶化温度が前記ガラス転移点より高い温度であることを特徴とするチップ型サーミスタ。

IPC (3件)：

H01C 7/04 ,  H01C 1/142 ,  H01C 7/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-250604
  
• 特開平4-127401
  
• 特開平4-127402
  
• 特開平4-261001