特許
J-GLOBAL ID：200903059308325172
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263316
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112179
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 矩形の領域S内のデータへのアクセス速度を行方向にも高速化することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ6を複数のサブアレイ6-iに分割すると共に、矩形の領域S内のデータが同じサブアレイ6-iの異なるメモリ行に配置されることがないように、行アドレス制御回路4によって各サブアレイ6-iのメモリ行を選択する。
請求項（抜粋）：
多数のメモリセルをM/m行(mは2以上の整数、M/mも2以上の整数)のメモリ行とN列(Nは2以上の整数)のメモリ列からなるマトリクス状に配列させたサブアレイをm個備えたメモリセルアレイと、M行の画素行とN列の画素列からなるマトリクス状の画像空間において、画素行をM/m個のブロックに分割し、該各ブロック内のm行の画素行をそれぞれm個のサブアレイに1対1で対応させると共に、M/m個のブロックをそれぞれ各サブアレイにおけるM/m行のメモリ行に1対1で対応させておき、該画面空間上のデータの画素アドレスが入力された場合に、少なくとも当該データが所属するブロックの画素行に対応するサブアレイにおける、当該データが所属するブロックに対応するメモリ行を選択して該メモリセルアレイにアクセスを行う行アドレス制御手段とを備えた半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 362 H
, G11C 11/34 371 H
