特許

J-GLOBAL ID：200903059316159273

研磨方法および装置

発明者： 斎藤 俊哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132128
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321567
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 被処理物における被研磨膜の残膜量を監視しながら被研磨膜の研磨を行うことを可能にする。【解決手段】 研磨時に半導体ウェハ1を支持して回転するとともに表面に研磨パッド4が設けられた研磨盤3と、研磨盤3を回転させる研磨盤回転手段8と、研磨時に回転しながら半導体ウェハ1を研磨パッド4に押さえ付けて保持する加圧ヘッド6と、加圧ヘッド6を回転させる加圧ヘッド回転手段9と、研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を検出する超音波探触子5とからなり、超音波探触子5によって研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を監視しながら半導体ウェハ1の被研磨膜の研磨を行う。

請求項（抜粋）：

被処理物に形成された被研磨膜を研磨する研磨方法であって、残膜量検出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残膜量を監視しながら前記被研磨膜を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 H ,  B24B 37/04 D