特許

J-GLOBAL ID：200903059317994583

レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法

発明者： 小川 透 ,  牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169090
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055790
出願日： 1992年12月29日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 任意の単一波長の光を露光光源として、任意の下地基板上にレジストパターンを形成する際に、そのレジストパターンが微細なものであっても、良好に、安定したレジストパターンを形成するためのレジストパターン形成方法と新規な反射防止膜の形成方法を提供すること。【構成】 下地基板S上に、直接またはその他の層を介して、窒素を少なくとも含む酸化シリコン系膜(Six Ny またはSix Ny Hz )で構成される反射防止膜ARLを成膜する。反射防止膜ARLの上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストPRを形成する。フォトレジストPRに露光を行い、マスクパターンを転写する。反射防止膜としては、露光波長が150〜450nmにおいて、反射屈折率nが1.2以上3.4以下であり、吸収屈折率kが0.16以上0.72以下であり、膜厚が10nm以上100nm以下の反射防止膜を成膜することが好ましい。

請求項（抜粋）：

下地基板上に形成した反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、下地基板上に、直接またはその他の層を介して、窒化シリコン系膜で構成される反射防止膜を成膜する工程と、前記反射防止膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程とを有するレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/26 511

FI (3件)：

H01L 21/30 574 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 515 B