特許

J-GLOBAL ID：200903059323824380

金属配線の形成方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101227
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294315
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 簡単な工程でAlやCuなどの金属配線材料をリフローや高圧埋め込みを可能とする金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】 SiO2 膜3をエッチングして溝配線を形成するための溝2を形成したのち、Cu膜4をスパッタ法で成膜する。次に、水素プラズマ5で処理することにより、Cu膜4中に水素を拡散させる。その後、水素雰囲気中でCu膜4についてリフローを行うと、気相中の水素だけでなく、Cu膜4中から脱離してゆく水素によっても酸化されたCuが効率よく還元される。これにより、低温でCu膜4のリフローが可能となる。

請求項（抜粋）：

金属配線を形成するための凹部領域の上に配線材料を成膜する成膜工程と、成膜された配線材料中に水素イオン及び水素原子を含むイオンのうち少なくとも一方を注入する注入工程と、前記イオン注入後の配線材料を前記凹部領域内に埋め込む埋込み工程と、を具備することを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/88 N