特許
J-GLOBAL ID：200903059327593811
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160020
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】低温処理に対応するため低温での改質性能を向上させる。【構成】液体微量連続定量供給装置2と内部に石英粒子4を内蔵した石英の蒸気発生容器3と蒸気結露防止を考慮した効果的な分岐筒9とによって水蒸気と窒素酸化物を含有する高濃度のオゾンを混合して複数ノズル10によって被処理面に供給し、紫外線15の照射をする。【効果】従来の紫外線とオゾンのみの場合に比し、剥離性能の改善効果が得られた。
請求項（抜粋）：
紫外線とオゾンと水蒸気の作用によってレジストを剥離除去する工程においてオゾン生成用原料酸素ガスに窒素ガスを添加したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
