特許
J-GLOBAL ID：200903059328520818
薄膜半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181314
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置とその製造方法を提供する事。【構成】 下地保護膜の光学特性や組成を調整する。及びその形成方法を工夫する。【効果】 低温工程で良好なTFTを製造出来る。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面の一部が絶縁性物質で有る基板の該絶縁性物質上にシリコンを含有した半導体層を形成し、該半導体層をトランジスタの能動層としている薄膜半導体装置に於いて、波長308nmにおける該絶縁性物質の空気に対する屈折率が1.5000以上で有る酸化硅素膜で有るか、または波長404.7nmにおける該絶縁性物質の空気に対する屈折率が1.4800以上で有る酸化硅素膜で有るか、または波長632.8nmにおける該絶縁性物質の空気に対する屈折率が1.4700以上で有る酸化硅素膜で有るか、或いは吸光係数がゼロで無い酸化硅素膜で有る事を特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
