特許

J-GLOBAL ID：200903059329150380

基板処理装置

発明者： 笠次 克尚 ,  宮田 敏光 ,  柿崎 智 ,  島田 真一
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349038
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 均熱特性を良好にすることができる基板処理装置を得る。【解決手段】 石英からなる反応1内に基板としてのウェハ5をサセプタ6で支持し、反応炉1の上方にランプユニット2を設けると共に、これらランプユニット2と反応炉1の間にウェハ5及びサセプタ6のウェハ周辺部に光を集光させる集光レンズ2を設け、この集光によりウェハ5の外周部温度をウェハ5の中央部温度と等しくなるように、放熱を補うと共に、ウェハ中央部に光が集中して加熱しすぎないようにしている。

請求項（抜粋）：

ランプより照射される光により反応管内に支持された基板を熱処理するようにした基板処理装置において、前記ランプの前面に、前記ランプより照射される光を所定箇所に集光させるための集光レンズを設けたことを特徴とする基板処理装置。