特許
J-GLOBAL ID：200903059331676365
単結晶製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096784
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279399
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】 単結晶が転位したり、石英るつぼが高温化して劣化することを防止する。【解決手段】 コイル14a、14bには通電せず、カスプ型磁界CMを発生させない状態でワイヤ1を引き下げて種結晶3を石英るつぼ10内のSi融液11の表面に対して浸漬させ、次いで種結晶3の下に小径のネック部4を形成し、次いで上部コーン部5を形成する。上部コーン部5の途中(径30%)が形成された時点Aでコイル14a、14bへの通電を開始し、径80%が形成された時点Bで強度が3000ガウスになるようにカスプ型磁界CMを発生させる。この磁界強度を継続して、上部コーン部5の残りと円筒形のボディー部6の境界近傍が形成された時点で一定の速度で引き上げることにより、円筒形のボディー部6を形成する。
請求項（抜粋）：
静磁界を印加しながら単結晶の引上げを行う単結晶製造方法において、原料結晶の溶融から前記単結晶の上部コーン部の形成途中に至るまでは前記単結晶のボディー部を形成するときに印加する静磁界の強度より低い強度の磁界を印加するか、あるいは無磁界とすることを特徴とする単結晶製造方法。
IPC (4件)：
C30B 30/04
, C30B 15/20
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 30/04
, C30B 15/20
, C30B 29/06 502 G
, H01L 21/208 P
