特許

J-GLOBAL ID：200903059332688057

微細構造半導体装置およびその製造法

発明者： 高 橋 茂 樹 ,  加 藤 理 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198784
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045992
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 欠陥による電子捕獲などが低減されて、高温においても安定な動作をする単電子素子やメモリ素子の提供。【解決手段】 不純物半導体からなる導電領域に1017cm-3個以上の水素を含み、その水素により不活性化された不純物によるポテンシャル分布が多重トンネル接合を形成する微細構造を持つことを特徴とする微細構造半導体装置、ならびに不純物半導体からなる導電領域に水素原子または水素イオンを導入することにより高抵抗領域を形成させ、その高抵抗領域上にゲート電極を形成させることを特徴とする微細構造半導体装置の製造法。

請求項（抜粋）：

不純物半導体からなる導電領域に1017cm-3個以上の水素を含み、その水素により不活性化された不純物によるポテンシャル分布が多重トンネル接合を形成する微細構造を持つことを特徴とする微細構造半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/66 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 29/66 ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/80 H