特許

J-GLOBAL ID：200903059337585973

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 出口 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098310
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289318
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入後のレーザー照射やランプ照射等による不安定性を改善したLDDをもつTFTを提供する。【解決手段】 絶縁性基板上の半導体層にドレイン領域、チャネル領域、ソース領域を形成し、上記チャネル領域に接してゲート絶縁層、ゲート電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、上記ドレイン領域、ソース領域の少なくとも一部にチャネル領域の結晶性より結晶性が低い高抵抗部を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上の半導体層にドレイン領域、チャネル領域、ソース領域を形成し、上記チャネル領域に接してゲート絶縁層、ゲート電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、上記ドレイン領域、ソース領域の少なくとも一部に結晶性の異なる高抵抗部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 616 L ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G