特許

J-GLOBAL ID：200903059341835925

ドライエッチング方法

発明者： 田中 靖夫 ,  関口 大好
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200770
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053191
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 エッチング後のガラス基板上の帯電を取り除き、かつ残留ガスを短時間に排気できるドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 薄膜をドライエッチングする工程と同一の反応室内でこの工程よりも小さい高周波電力を印加しプラズマを発生させて基板8とカソード電極4の表面の帯電を除去する。

請求項（抜粋）：

平行平板電極が設けられた反応室内の一方の電極上にガラス基板を配置し、反応室内にエッチングガスを導入するとともにガラス基板を設置した電極に高周波電力を印加して、ガラス基板状の薄膜をドライエッチングする際に、薄膜をドライエッチングする工程と、同一の反応室内で、さらに薄膜をエッチングしないガスで高周波電力を印加させガラス基板の帯電を除きかつ反応室内の残留ガスの置換排気をする工程を備えたことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-243188
  
• 特開平3-242929
  
• 特開平1-099220