特許
J-GLOBAL ID：200903059348979493
窒化アルミニウム結晶の成長方法と窒化アルミニウム基板および半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-324397
公開番号（公開出願番号）：特開2009-143778
出願日： 2007年12月17日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】短波長領域での発光素子として有用なAlGaN系混晶半導体薄膜のエピタキシャル成長用基板材料に適した窒化アルミニウム結晶を得る方法を提供する。【解決手段】昇華法による窒化アルミニウム(AlN)結晶の成長方法であって、c軸に垂直な方向から35度の角度範囲でAlN結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とし、上記AlN結晶の成長方向として、a軸方向、m軸方向およびr軸方向が挙げられる。成長したAlNのバルク結晶から、その成長方向に垂直な方向に基板を切り出すことにより、c軸に対し垂直な方位を主面とする円形状のAlN基板を効率良く得ることが可能となる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
昇華法による窒化アルミニウム結晶の成長方法において、
c軸に垂直な方向から35度の角度範囲で窒化アルミニウム結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/38 C
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE13
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
, 5F041AA31
, 5F041CA34
, 5F041CA40
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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引用文献：
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