特許
J-GLOBAL ID:200903059351995025

磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研削加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-246804
公開番号(公開出願番号):特開2000-144110
出願日: 1999年08月31日
公開日(公表日): 2000年05月26日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 加工後のサブストレートの品質が良好であると共に、生産性が高く、処理コストが低い磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液及び研削加工方法の提供。【解決手段】 下記一般式(1)で示される化合物(A1)と、炭素数8乃至36の脂肪族カルボン酸又はその塩(B)及び/又は脂肪族カルボン酸の炭素数が8乃至36の脂肪族カルボン酸アミド(C)を20/80乃至99/1の重量比で含有するX1-R1-O-{(AO)p1/(CH2CH2O)q1}-Q1 ...(1)[式中、X1は水素原子又は-O-{(AO)p1/(CH2CH2O)q1}-Q2、Q1は-P(=O)(OM)2-、Q2は水素原子又はQ1を表す。]R1は炭素数1乃至30の2価の炭化水素基、Aは炭素数3乃至4のアルキレン基を表し、p1の合計は32乃至300の整数、q1の合計は0又は1乃至40の整数を表す。Mはカチオン成分を表す。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される化合物(A1)と、炭素数8乃至36の脂肪族カルボン酸又はその塩(B)及び/又は脂肪族カルボン酸の炭素数が8乃至36の脂肪族カルボン酸アミド(C)を20/80乃至99/1の重量比で含有することを特徴とする磁気ディスク基盤用アルミニウム合金板用研削加工液 X1-R1-O-{(AO)p1/(CH2CH2O)q1}-Q1 ...(1)[但し、一般式中、X1は水素原子又は-O-{(AO)p1/(CH2CH2O)q1}-Q2、で表されるリン酸エステル(塩)基、Q2は水素原子又はQ1を表す。R1は炭素数1乃至30の2価の炭化水素基、Aは炭素数3乃至4のアルキレン基、p1、q1は夫々同じでも異なっていてもよい。p1の合計は32乃至300の整数、q1の合計は0又は1乃至40の整数を表す。Mはカチオン成分を表す。但し、q1が1以上の場合、{(AO)p1/(CH2CH2O)q1}はランダム付加及び/又はブロック付加を表し、付加順序は問わない。]
IPC (3件):
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  G11B 5/84
FI (3件):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  G11B 5/84 A
引用特許:
審査官引用 (9件)
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