撮像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-188088
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060550
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】信号電荷を電圧変換部に転送する際に、データを読み出すための電極に対応する信号電荷の転送領域の電位が変動するのを抑制することが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】このCMOSイメージセンサ(撮像装置)は、電子を蓄積するための電子蓄積部3aと、電子蓄積部3aに電子を蓄積する電界を発生させるための転送ゲート電極10と、電子蓄積部3aに蓄積された電子を衝突電離させて増倍するための電子増倍部3bと、電子増倍部3bに電子が衝突電離する電界を発生させるための増倍ゲート電極8と、フローティングディフュージョン領域5と、転送ゲート電極10とフローティングディフュージョン領域5との間に設けられ、電子蓄積部3aからフローティングディフュージョン領域5に電子を転送するための読出ゲート電極11とを備えている。そして、増倍ゲート電極8は、転送ゲート電極10に対して読出ゲート電極11とは反対側に設けられている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

信号電荷を蓄積するとともに、転送するための蓄積部と、前記蓄積部に信号電荷を蓄積する電界を発生させるための第1電極と、前記蓄積部に蓄積された信号電荷を衝突電離させて増加するための電荷増加部と、前記電荷増加部に信号電荷が衝突電離する電界を発生させるための第2電極と、信号電荷を電圧に変換するための電圧変換部と、前記第1電極と前記電圧変換部との間に設けられ、前記蓄積部から前記電圧変換部に信号電荷を転送するための第3電極とを備え、前記第2電極は、前記第1電極に対して前記第3電極および前記電圧変換部とは反対側に設けられている、撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 P

Fターム (22件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118BA22 , 4M118CA03 , 4M118DB05 , 4M118DB09 , 4M118DB15 , 4M118DB16 , 4M118DD04 , 4M118DD08 , 4M118DD09 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA25 , 5C024AX01 , 5C024CX11 , 5C024GX06 , 5C024GY31 , 5C024HX12 , 5C024JX21

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3483261号公報

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