波長可変半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190122
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】広範囲にわたる準連続波長可変動作を実現する半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層と受動導波路層が同一基板上に形成され、受動導波路層の一部に回折格子が形成され、この回析格子の周期が活性層に近い側で短く、また活性層から離れるに従って長くなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

活性層と受動導波路層が同一基板上に形成され、受動導波路層の一部に回折格子が形成され、この回析格子の周期が活性層に近い側で短く、また活性層から離れるに従って長くなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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