特許

J-GLOBAL ID：200903059357989302

プラズマの生成方法

発明者： エレイ サキット エイデル ,  リチャード アレン ゴトショ ,  ジェフリー アレン グレックス ,  マーク アンドリュー ジャンク
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282159
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208900
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体産業に用いられるプラズマの反応を制御する方法を提供することる。【構成】 本発明によれば、プラズマをガス圧Pとガス温度Tの両方をモニタすることによって制御する。このプロセスパラメータPとTは、P/Tnの値を一定に制御するよう調整される。好ましい実施例においては、圧力をP/Tを一定にするために、ガスの流速あるいは出力ポンプスピードを調整することによって調節している。その結果、長時間にわたって、安定した特性を示すプラズマが得られる。

請求項（抜粋）：

低圧室にガスを供給するステップと、このガスをイオン化するためにエネルギーを供給するステップと、前記低圧室からガス状物質を除去するステップと、からなるプラズマの生成方法において、前記低圧室内のガスの圧力をP、ガスの絶対温度をTするときに、P/Tnの値を一定値にしながら、前記ステップを実行することによりプラズマを安定化することを特徴とするプラズマの生成方法。

IPC (3件)：

H05H 1/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302