特許
J-GLOBAL ID：200903059359639970
フォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232677
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 サブシフタ付き位相シフト用フォトマスクの製造工程を短縮する。また、サブシフタ付き位相シフト用フォトマスクの製造歩留りを向上させる。【構成】 遮光パターン3a〜3cを形成したガラス基板2上に窒化シリコン膜4aおよび酸化シリコン膜4bからなる2層膜を形成した後、前記2層膜を異方性エッチングして位相シフタ4を形成し、次に、位相シフタ4の側壁に露出している窒化シリコン膜4aのみを選択的にサイドエッチングして後退させることにより、位相シフタ4の周辺部に酸化シリコン膜4bのみからなるサブシフタ領域5を自己整合的に形成する位相シフト用フォトマスク1の製造方法である。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に形成した一対の光透過領域の一方に位相シフタを配置して、前記一対の光透過領域を透過した二つの光の位相を互いに逆相とする位相シフト用フォトマスクの製造方法であって、所定の遮光パターンを形成したガラス基板上に材質の異なる複数の薄膜を積層して多層膜を形成した後、前記多層膜を異方性エッチングして位相シフタを形成し、次に、前記位相シフタを構成する複数の薄膜のうちのいずれかの薄膜を前記位相シフタの周辺部でサイドエッチングすることにより、前記位相シフタの周辺部に前記位相シフタとは位相変化量の異なるサブシフタ領域を形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
