特許
J-GLOBAL ID:200903059362291267
多孔体、多孔体膜を有する基体およびこれらの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-072355
公開番号(公開出願番号):特開2003-267719
出願日: 2002年03月15日
公開日(公表日): 2003年09月25日
要約:
【要約】【課題】 超臨界乾燥を必要とせず、常圧で簡便に乾燥でき、低温で多孔化できて活性な表面が得られる多孔体を提供することを目的とする。【解決手段】 一般式M(OR1)nで表わされる金属または半金属のアルコキシド、一般式Si(R2)m(OR3)4-mで表わされるオルガノアルコキシシラン、一般式HO-[Si(R4)2O]l-Hで表わされるポリオルガノシロキサンから選ばれる1種または2種以上とHxSi(R5)y(OR6)4-x-yを有機溶媒に溶解した溶液を加水分解または部分加水分解し、ゲル化、乾燥して多孔体を製造する方法であって、前記HxSi(R5)y(OR6)4-x-yの含有量がSi換算で、前記溶液中の金属または半金属の全モル数に対して、10モル%以上90モル%以下であることを特徴とする多孔体の製造方法およびその多孔体である。
請求項(抜粋):
一般式M(OR1)n(Mは金属または半金属の元素、R1は炭素数1以上の有機基であり、nは金属または半金属の価数)で表わされる金属または半金属のアルコキシド、一般式Si(R2)m(OR3)4-m(R2、R3は炭素数1以上の有機基であり、mは1〜3の整数)で表わされるオルガノアルコキシシラン及び一般式HO-[Si(R4)2O]l-H(R4は炭素数1以上の有機基であり、lは2〜500の整数)で表わされるポリオルガノシロキサンから選ばれる1種または2種以上と、HxSi(R5)y(OR6)4-x-y(R5、R6は炭素数1以上の有機基であり、xは1〜3の整数、yは0〜3の整数で、x+y≦4)とを有機溶媒に溶解した溶液を加水分解または部分加水分解し、ゲル化、乾燥して多孔体を製造する方法であって、前記HxSi(R5)y(OR6)4-x-yの含有量がSi換算で、前記溶液中の金属または半金属の全モル数に対して、10モル%以上90モル%以下であることを特徴とする多孔体の製造方法。
IPC (11件):
C01B 33/12
, B01D 39/16
, B01D 39/20
, B01D 69/10
, B01D 71/02
, B01D 71/70
, B01J 20/10
, B01J 20/28
, B01J 39/08
, B01J 47/12
, C01B 33/16
FI (11件):
C01B 33/12 A
, B01D 39/16 C
, B01D 39/20 Z
, B01D 69/10
, B01D 71/02
, B01D 71/70
, B01J 20/10 D
, B01J 20/28 Z
, B01J 39/08
, B01J 47/12 A
, C01B 33/16
Fターム (44件):
4D006MA10
, 4D006MA22
, 4D006MA24
, 4D006MC03X
, 4D006MC65X
, 4D006NA25
, 4D006NA46
, 4D019BA06
, 4D019BA18
, 4D019BB08
, 4D019BD01
, 4G066AA16B
, 4G066AA17B
, 4G066AA22B
, 4G066AA23B
, 4G066AA24B
, 4G066AA25B
, 4G066AA26B
, 4G066AA27B
, 4G066AA30B
, 4G066AB18A
, 4G066AB23A
, 4G066AC28A
, 4G066AC28B
, 4G066BA03
, 4G066BA23
, 4G066BA25
, 4G066BA28
, 4G066FA03
, 4G066FA14
, 4G066FA22
, 4G066FA34
, 4G072AA38
, 4G072BB15
, 4G072CC07
, 4G072HH28
, 4G072HH30
, 4G072JJ45
, 4G072MM31
, 4G072PP05
, 4G072PP06
, 4G072PP17
, 4G072RR05
, 4G072SS01
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