特許
J-GLOBAL ID：200903059364792980
高出力電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180139
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037901
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 熱量を抑えることができ、且つ、信号の位相差を小さくして効率的な利得が得られる高出力電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 ゲート・ボンディング・パッド1からドレイン・ボンディング・パッド2方向に対してゲート配線7が配設され、ゲート配線7に対して垂直方向に単位ゲート3が櫛歯状に形成されて、その間に組合わさるようにソース4とドレイン5が形成されている。櫛歯状に配列される単位ゲート3はゲート配線7の両側に形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に複数の単位トランジスタのゲート同士、ソース同士およびドレイン同士をそれぞれ共通に接続して形成される高出力電界効果トランジスタにおいて、ゲート・ボンディング・パッドからドレイン・ボンディング・パッド方向に対してゲート配線が配設され、前記単位トランジスタのゲートが前記ゲート配線に対して略垂直方向に櫛歯状に配列されて前記ゲート配線に接続されていることを特徴とする高出力電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
