特許
J-GLOBAL ID：200903059367120738
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199243
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064760
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】温度の上昇・降下に伴う信頼性の低下を防止できる半導体装置を提供する。【構成】冷却フィン1に枠体5を固着し、この枠体内の冷却フィン上に、枠体5に対向するように仕切板を設ける。そして、仕切板内の冷却フィン上に、表面に導体層を有する絶縁基板2を固着し、この絶縁基板2の導体層上に半導体素子3、及びSベンド20を有する配線端子4を設ける。ここで、Sベンド20の湾曲部21の高さは仕切板9の高さよりも低くする。さらに、仕切板内にゲル状封止体6を充填するとともに、枠体5と仕切板9の間に封止樹脂7を充填する。【効果】枠体の内側に仕切板を設け枠体を二重構造にすることにより、枠体内壁でのゲル状封止体のはい上がりは防止されるので、半導体装置の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
枠体を固着された金属基板と、枠体内において、枠体に対向するように金属基板上に設ける壁部と、壁部内において金属基板上に固着され、表面に導体層を有する絶縁基板と、導体層上にはんだ付けされる、半導体素子、及びSベンドを有する配線端子と、を備え、Sベンドの湾曲部の高さを壁部の高さよりも低くし、壁部内にゲル状封止体を充填し、枠体と壁部の間に封止樹脂を充填することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/42
