特許

J-GLOBAL ID：200903059367863188

光ディスク及びCu合金記録層用スパッタリングターゲット

発明者： 佐藤 賢次
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006307434
公開番号（公開出願番号）：WO2007-004344
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

記録層がZnS-SiO2の保護層で挟まれる構造の光ディスクにおいて、該記録層がZn, Mn, Ga, Ti, Taから選択した1成分以上を総量で1〜20at%含有し残部がCu及び不可避的不純物からなることを特徴とするCu合金記録層を備えた光ディスク。光ディスク及びCu合金記録層用スパッタリングターゲットに関し、特に保護層としてZnS-SiO2が使用される場合において、保護層からのSの拡散によるCu記録層の硫化を防止又は抑制し、記録ビットのエラー発生のない光記録媒体を得ることができる光ディスク及びCu合金記録層用スパッタリングターゲットを提供する。

請求項（抜粋）：

記録層がZnSを含む保護層に隣接する構造の光ディスクにおいて、該記録層がZn, Mn, Ga, Ti, Taから選択した1成分以上を総量で1〜20at%含有し残部がCu及び不可避的不純物からなることを特徴とするCu合金記録層を備えた光ディスク。

IPC (8件)：

B41M 5/26 ,  G11B 7/243 ,  G11B 7/254 ,  G11B 7/257 ,  G11B 7/26 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/00

FI (7件)：

B41M5/26 X ,  G11B7/24 511 ,  G11B7/24 534N ,  G11B7/26 531 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/00

Fターム (23件)：

2H111EA03 ,  2H111EA12 ,  2H111EA23 ,  2H111EA31 ,  2H111EA33 ,  2H111FA14 ,  2H111FA27 ,  2H111FB04 ,  2H111FB08 ,  2H111FB16 ,  2H111FB17 ,  2H111FB18 ,  2H111FB19 ,  2H111FB20 ,  2H111FB21 ,  2H111FB30 ,  2H111GA03 ,  5D029JA01 ,  5D029JB35 ,  5D029LA17 ,  5D121AA01 ,  5D121EE03 ,  5D121EE14