特許

J-GLOBAL ID：200903059372680776

蛍光検出装置

発明者： 江本 文昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152929
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350347
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】 小型化が可能で光路が短い蛍光検出装置を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板7の表面部にn型不純物層8を設けてフォトダイオードを形成し、この上に蛍光反応の場となる蛍光反応槽13を配置する。n型不純物層8の表面にはp+不純物層21を形成する。逆バイアス印加時にはp+不純物層の一部が空乏化せず、n型不純物層が空乏化するようにすれば、励起光による電荷はn型不純物層8に蓄積されず、蛍光のみ検出できる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路基板および蛍光反応の場となる蛍光反応槽を備え、前記半導体集積回路基板は、フォトダイオードと、前記フォトダイオードで光電変換された電荷が入力される信号検出トランジスタ回路と、前記信号検出トランジスタ回路駆動信号の入出力端子とを有し、前記フォトダイオード上に前記蛍光反応槽が形成され、前記フォトダイオード表層部および前記フォトダイオードと前記蛍光反応槽との間の少なくとも一方に励起光侵入防止層が形成されている蛍光検出装置。

IPC (8件)：

G01N 21/64 ,  G01N 21/03 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/543 575 ,  G01N 33/566 ,  G01N 37/00 102 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/148

FI (8件)：

G01N 21/64 F ,  G01N 21/03 Z ,  G01N 33/53 M ,  G01N 33/543 575 ,  G01N 33/566 ,  G01N 37/00 102 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/14 B

Fターム (32件)：

2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043CA03 ,  2G043DA02 ,  2G043DA06 ,  2G043EA01 ,  2G043GA08 ,  2G043GB01 ,  2G043HA08 ,  2G043JA02 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G057AA04 ,  2G057AB04 ,  2G057AC01 ,  2G057BA01 ,  2G057BB04 ,  2G057BB06 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA02 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118CB11 ,  4M118FA06 ,  4M118FC06 ,  4M118FC17 ,  4M118FC18 ,  4M118FC20 ,  4M118GC20