特許

J-GLOBAL ID：200903059376088200

積層体の製造方法

発明者： 中村 直子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146335
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340564
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 2つの配線膜のエッジ部が絶縁膜を介して重なり合う領域でイオン注入処理による電荷蓄積に伴うリーク電流を防止する。【解決手段】 ガラス基板上に第1配線膜10が形成され、第1配線膜10の上に層間絶縁膜20が形成され、その上に第2配線膜30としてのゲート線32及び付加容量線34が形成されている。また、第1配線膜10及び層間絶縁膜20の各エッジ部10A、20Aに対し、付加容量線34のエッジ部34Aが重なり合った状態で配置されている。そして、この各エッジ部10A、20A、34Aが重なり合った領域αに、不純物イオン注入に先立って、レジスト膜50をパターニングし、この領域αに対する不純物イオンの注入を阻止し、電荷の蓄積を抑制する。これにより、配線膜10、34間の電流リークを防止する。

請求項（抜粋）：

第1配線膜の上面に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の上面に第2配線膜を形成し、前記第2配線膜の上面から高電荷を付与する処理を行う積層体の製造方法において、前記第2配線膜の上面の前記第1配線膜のエッジ部と前記第2配線膜のエッジ部とが重なり合う領域に対応してレジスト膜をパターニングし、その後、前記高電荷を付与する処理を行うようにした、ことを特徴とする積層体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 C

Fターム (26件)：

2H092JA24 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA23 ,  2H092NA14 ,  2H092NA26 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ59 ,  5F033RR04 ,  5F033UU04 ,  5F033VV04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX31 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23