薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007191
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】酸化物超伝導薄膜、誘電体薄膜等の薄膜形成方法に関し、スパッタ、CVD等によって薄膜を形成するときの薄膜形成用基板の温度を均一化し、高品質の薄膜を単一の層として形成する手段を提供する。【構成】薄膜形成用基板5を、この薄膜形成用基板5より高い熱伝導率を有する熱伝導性基板4の上に密着して重ね、この熱伝導性基板4、または、この熱伝導性基板4と薄膜形成用基板5の両者を加熱した状態で、薄膜形成用基板5の上に薄膜を形成する。この熱伝導性基板をサファイア、BN、AlNによって形成することができる。熱伝導性基板の面積を薄膜形成用基板の面積より大きくすることができる。熱伝導性基板と薄膜形成用基板を銀薄膜、金薄膜、銀ペースト、金ペーストによって接着することができる。酸化物超伝導薄膜、酸化物薄膜、誘電体薄膜等の薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

薄膜形成用基板を、該薄膜形成用基板より高い熱伝導率を有する熱伝導性基板の上に密着して重ね、該熱伝導性基板、または、該熱伝導性基板と該薄膜形成用基板の両者を加熱した状態で、薄膜形成用基板の上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 39/24 ZAA , C23C 14/08 ZAA , H01B 12/06 ZAA , H01L 39/02 ZAA

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-072079
特開昭63-140085
特開平2-280358

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