特許

J-GLOBAL ID：200903059385277059

面発光レーザ

発明者： 井上 武史 ,  日原 衛 ,  平田 隆昭 ,  林 大介
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-089930
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296972
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】発熱を抑えて高出力まで安定な横モード制御が可能な面発光レーザを実現する。【解決手段】成長層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、光の取り出し口を有する基板と、この基板上に形成された第1の分布反射層と、第1及び第2のスペーサ層により上下方向から挟まれると共に第1の分布反射層上に形成された活性層と、上部の第1のスペーサ層上に形成され周辺部分が選択酸化された選択酸化層と、この選択酸化層上にトンネル接合を形成するトンネル接合層と、このトンネル接合層上に形成された第3のスペーサ層と、この第3のスペーサ層上の周辺部に形成されたコンタクト層と、コンタクト層上に形成される第1の電極と、基板の裏面であって光の取り出し口以外の部分に形成された第2の電極と、第3のスペーサ層とエアギャップを介して対向するように第2の分布反射層とを設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成長層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、 光の取り出し口を有する基板と、 この基板上に形成された第1の分布反射層と、 第1及び第2のスペーサ層により上下方向から挟まれると共に前記第1の分布反射層上に形成された活性層と、 上部の前記第1のスペーサ層上に形成され周辺部分が選択酸化された選択酸化層と、 この選択酸化層上にトンネル接合を形成するトンネル接合層と、 このトンネル接合層上に形成された第3のスペーサ層と、 この第3のスペーサ層上の周辺部に形成されたコンタクト層と、 このコンタクト層上に形成される第1の電極と、 前記基板の裏面であって前記光の取り出し口以外の部分に形成された第2の電極と、 前記第3のスペーサ層とエアギャップを介して対向するように第2の分布反射層と を備えたことを特徴とする面発光レーザ。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (11件)：

5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA27 ,  5F073EA15 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23