特許

J-GLOBAL ID：200903059386697833

誘電体磁器組成物及びその製造方法

発明者： 松井 直樹 ,  築山 良男
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053370
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】 Q値が大きく、共振周波数の温度係数の絶対値を小さくして高周波帯で用いる高周波材料に求められる特性を具備し、低抵抗で大気雰囲気中で容易に焼成でき、しかも安価なAgと同時に焼成可能な低温焼結性を有する誘電体磁器組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si、Zn、Li、Sn、Ti及びMgを含み、950°C以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物において、SiがSiO2 換算で13.4〜46.3wt%、ZnがZnO換算で22.5〜61.4wt%、LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt%、SnがSnO2 換算で9.1〜52.1wt%、TiがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%及びMgがMgO換算で0を超え〜7.3wt%からなる主成分の100重量部に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.5wt%含まれる。

請求項（抜粋）：

Si、Zn、Li、Sn、Ti及びMgを含み、950°C以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物において、前記SiがSiO2 換算で13.4〜46.3wt%、前記ZnがZnO換算で22.5〜61.4wt%、前記LiがLi2 O換算で1.3〜10.2wt%、前記SnがSnO2 換算で9.1〜52.1wt%、前記TiがTiO2 換算で4.4〜14.6wt%及び前記MgがMgO換算で0を超え〜7.3wt%からなる主成分の100重量部に対し、BがB2 O3 換算で0.5〜4.5wt%含まれることを特徴とする誘電体磁器組成物。

IPC (4件)：

C04B 35/453 ,  H01B 3/02 ,  H01G 4/12 310 ,  H01G 4/12 313

FI (4件)：

H01B 3/02 A ,  H01G 4/12 310 ,  H01G 4/12 313 ,  C04B 35/00 P

Fターム (29件)：

4G030AA02 ,  4G030AA16 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA09 ,  4G030GA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA27 ,  5E001AE03 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA02 ,  5G303AA05 ,  5G303AA10 ,  5G303AB08 ,  5G303AB11 ,  5G303AB15 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB02 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB31 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303DA04