磁気抵抗素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036033
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】Co系アモルファス軟磁性膜と非磁性金属膜とを積層した磁気抵抗素子であり、非磁性金属膜がCo系アモルファス軟磁性膜の間に挟挿されるような積層構造が好ましい。Co系アモルファス軟磁性膜中のCo含有量は70at%〜90at%であり、Co系アモルファス軟磁性膜および非磁性金属膜の膜厚はそれぞれ2〜100Åの範囲内であることが好ましい。【効果】本発明の磁気抵抗素子は磁気抵抗変化が大きく、保磁力および透磁率は従来のパーマロイ程度となるので磁気抵抗素子として非常に優れている。

請求項（抜粋）：