特許

J-GLOBAL ID：200903059397939596

原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法

発明者： 安原 三紀子 ,  門倉 秀公
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-191265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347297
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】ALD法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法に関し、ALD法用の原料として特に求められている、蒸気圧が高く、分子サイズが小さく、酸素供給源やケイ素供給源と反応しやすい原料を提供し、且つそれを用いてALD法にてハフニウムシリケート薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Hf[N(CH3)2]4とSi(OCH3)4の組み合わせによって、ALD法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

原子層吸着堆積法(ALD法)によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法において、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウムとテトラメトキシシランと酸化剤を原料として用いることを特徴とする原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (16件)：

5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16