特許

J-GLOBAL ID：200903059400262403

固体撮像装置

発明者： 米田 智也 ,  小泉 徹 ,  光地 哲伸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012820
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 飽和電圧が空乏化電圧よりも高くなるように、フォトダイオードの飽和電荷量をチップ内で制御することにより固体撮像装置を適切に作動させることを課題とする。【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、光電変換素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの飽和電荷量に応じて、制御されるオーバーフロードレイン素子を同一チップ内に設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光電変換素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの飽和電荷量に応じてオーバーフロードレインレベルが制御されるオーバーフロードレイン素子とを同一チップ内に設けたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD11 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA19 ,  4M118FA33 ,  4M118FA36 ,  5C024AA00 ,  5C024CA31 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024GA43 ,  5F049AA01 ,  5F049BA08 ,  5F049BB05 ,  5F049EA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-094585
  
• CCD固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302579   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭56-140773