特許

J-GLOBAL ID：200903059403134970

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 和久
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-140870
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326660
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板に形成された互いに隣接する素子間を分離するべく該素子間にフィールドシールドゲート電極及びフィールドシールドゲート酸化膜を有する半導体装置のフィールドシールドゲート酸化膜の耐圧を改善する。【構成】 基板上にポリシリコン膜を堆積させ、このポリシリコン膜を熱酸化することによりフィールドシールドゲート酸化膜を形成することで、半導体基板内部に存在する酸素析出物を取り込むことなくゲート酸化膜を形成でき、フィールドシールドゲート酸化膜の耐圧を劣化させることがない。膜厚が大きく、通常の基板を熱酸化させると酸素析出物を取り込み易いフィールドシールドゲート酸化膜の耐圧を劣化させることがない。また、ウェルを形成した部分をゲート酸化膜にとられ、ウェルの厚みが減ることを防止する効果もある。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された互いに隣接する素子間を分離するべく該素子間にフィールドシールドゲート電極及びフィールドシールドゲート酸化膜を有する半導体装置の製造方法に於て、シリコン半導体基板上にポリシリコン膜を堆積させる過程と、前記ポリシリコン膜のみを熱酸化して前記フィールドシールドゲート酸化膜用の酸化膜を形成する過程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 R