特許

J-GLOBAL ID：200903059407349164

半導体ダイヤモンド層に対する耐熱性オーミック電極及びその形成方法

発明者： 林 和志 ,  橘 武史
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060654
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275552
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 接触抵抗が小さく、高温でも安定なオーミック電極を得ることができる半導体ダイヤモンド層に対する耐熱性オーミック電極及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体ダイヤモンド層に形成される耐熱性オーミック電極において、TixCy,TixNy,TixWy又はTixSiyのうちの少なくとも1種の化合物からなる電極Ti化合物層と、この電極Ti化合物層を接合すべき前記半導体ダイヤモンド層表面に、B,Si,P,As又はSbのうちの少なくとも1種の元素をドーパントとして1×1019cm-3以上の密度にドーピングされた高ドープ層とが形成されている。上記構成により、小さな接触抵抗及び高温酸化の防止がされている。

請求項（抜粋）：

半導体ダイヤモンド層に対して形成される耐熱性オーミック電極において、前記半導体ダイヤモンド層の所定領域に、B,Si,P,As及びSbからなる群から選択された少なくとも1種の不純物を1×1019cm-3以上の密度にドーピングして形成された高ドープ層と、この高ドープ層上に設けられたTixCy,TixNy,TixWy及びTixSiy(但し、x+y=1)からなる群から選択された少なくとも1種のTi化合物からなる電極Ti化合物層とを有することを特徴とする半導体ダイヤモンド層に対する耐熱性オーミック電極。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-158155
  
• 特開平3-158155
  
• 特開昭51-025836