特許

J-GLOBAL ID：200903059411539601

多孔質シリカ薄膜のプラズマ処理

発明者： イヴァン・ルイス・ベリー・ザ・サード ,  キュハ・チュング ,  キャンユアン・ハン ,  ユファン・リウ ,  エリック・スコット・モイヤー ,  マイケル・ジョン・スポールディング ,  カルロ・ウォルドフライド ,  トッド・ブリッジウォーター ,  ウェイ・チェン
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション ,  アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-568844
公開番号（公開出願番号）：特表2003-528021
出願日： 2001年03月20日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】本発明は、低い誘電率と改善された弾性率とを有するコーティングを形成する方法を提供する。かかる方法は、少なくとも2つのSi-H基を含有する樹脂から形成される多孔質ネットワークコーティングを準備することを含み、この多孔質ネットワークコーティングを、熱硬化およびプラズマ処理するか、あるいは、プラズマ硬化する。係る熱硬化プラズマ処理コーティングまたはプラズマ硬化コーティングは、任意にアニールすることができる。アニールされた熱硬化プラズマ処理コーティングおよびアニールされたプラズマ硬化コーティングは、約1.1から約3.5の範囲の誘電率と、一般的に約4GPaより大きく、典型的には約4GPaから約10GPaの範囲の弾性率を有する。

請求項（抜粋）：

改善された特性を有するプラズマ処理コーティングを形成する方法であって、 少なくとも2つのSi-H基を含む樹脂から形成された、当初の誘電率と当初の弾性率とを有する熱硬化多孔質ネットワークコーティングを提供する工程;および 前記多孔質ネットワークコーティングをプラズマ処理して、Si-H結合の量を低減し、かつ、前記当初の誘電率よりも高い第二の誘電率と、当初の弾性率より高い第二の弾性率とを有するプラズマ処理コーティングを提供する工程を含む方法。

IPC (2件)：

C01B 33/12 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C01B 33/12 Z ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P

Fターム (11件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG03 ,  4G072RR11 ,  4G072RR25 ,  4G072UU30 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16