特許
J-GLOBAL ID：200903059414668143
半導体の汚染不純物濃度の測定方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028048
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220024
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体中の汚染不純物の濃度のみをライフタイムの測定から検出する半導体の汚染不純物濃度の測定方法及びその装置を提供する。【構成】 マイクロ波が照射された半導体試料3にレーザー光を照射して半導体試料3にキャリアを注入し,半導体試料3から反射または透過したマイクロ波を検出し,その強度の時間的変化から上記キャリアのライフタイムを測定する。このライフタイムの測定を半導体試料3中の汚染不純物の状態を変化させるバイアス光を白色光源5から照射したときと,照射しないときとでそれぞれ測定し,上記バイアス光を照射したときのライフタイムと,バイアス光を照射しないときのライフタイムとを比較することにより,上記半導体試料3中の汚染不純物の濃度を検出する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波が照射された半導体試料にレーザー光をパルス状に照射して上記半導体試料にキャリアを注入し,上記半導体試料から反射または透過したマイクロ波を検出し,その強度の時間的変化から上記キャリアのライフタイムを測定することにより半導体試料中の汚染不純物の濃度を検出する半導体の汚染不純物濃度の測定方法において,上記半導体試料中の汚染不純物の状態を変化させるバイアス光を照射したときと,照射しないときとの上記ライフタイムをそれぞれ測定し,上記バイアス光を照射したときのライフタイムと,バイアス光を照射しないときのライフタイムとを比較することにより,上記半導体試料中の汚染不純物の濃度を検出することを特徴とする半導体の汚染不純物濃度の測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 22/02 Z
, H01L 21/66 M
