特許
J-GLOBAL ID:200903059415072244

基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-249610
公開番号(公開出願番号):特開2009-081285
出願日: 2007年09月26日
公開日(公表日): 2009年04月16日
要約:
【課題】従来の基板では困難であった製造コストの低減と、ひずみの低減とを同時に達成することが可能な基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】複合基板9は、金属基板2と、金属基板2上に接触して形成されたGaN層1とを備えている。金属基板2とGaN層1とは格子整合していない。金属基板2とGaN層1とは、たとえばファンデルワールス力により接合されている。そして、金属基板2とは反対側のGaN層1の主面11は、劈開面となっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ベース層と、 前記ベース層上に接触して形成された半導体層とを備え、 前記ベース層とは反対側の前記半導体層の主面は、劈開面となっており、 前記ベース層と前記半導体層とは格子整合していない、基板。
IPC (3件):
H01L 23/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件):
H01L23/14 S ,  H01L23/14 M ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (16件):
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA63 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22

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