特許

J-GLOBAL ID：200903059415112661

微細構造作製方法

発明者： 芦田 極 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆 ,  廖 国新
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-293751
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064298
出願日： 2003年08月15日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせずに、任意の形状で且つ任意の高さの微細構造物を製作可能な微細構造作製方法を得る。【解決手段】 単結晶シリコン材料表面に摩擦力顕微鏡の機構を用いて所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成するに際して、微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択し、或いは微細機械加工時の送り量を任意に選択することにより、エッチング液の濃度を変化させずに、形成される微細パターンの高さを調節することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節することを特徴とする微細構造作製方法。

IPC (2件)：

H01L21/306 ,  B81C1/00

FI (2件)：

H01L21/306 B ,  B81C1/00

Fターム (4件)：

5F043AA02 ,  5F043AA31 ,  5F043BB02 ,  5F043CC20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微細パターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-251338   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-100734
  
• シリコン基板の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-230083   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 摩擦力顕微鏡を用いた微細機械加工とエッチングの併用によるマスクレスパターン形成