特許

J-GLOBAL ID：200903059416450510

AlN単結晶およびその成長方法

発明者： 藤原 伸介 ,  宮永 倫正
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202270
公開番号（公開出願番号）：特開2006-021964
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】 AlN種結晶上にAlN単結晶を、多結晶化を発生させることなく、成長させる。【解決手段】 昇華法によりAlN種結晶2上にAlN単結晶3を成長させるAlN単結晶の成長方法であって、AlN単結晶3を結晶成長容器12の内壁12wに接触させながら、かつ、AlN単結晶3の結晶成長界面3sの端部における結晶成長速度VEが、結晶成長界面3sの中央部における結晶成長速度VCよりも小さくなるようにAlN単結晶3を成長させるAlN単結晶の成長方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

昇華法によりAlN種結晶上にAlN単結晶を成長させるAlN単結晶の成長方法であって、 前記AlN単結晶を結晶成長容器の内壁に接触させながら、かつ 前記AlN単結晶の結晶成長界面の端部における結晶成長速度VEが、前記結晶成長界面の中央部における結晶成長速度VCよりも小さくなるように前記AlN単結晶を成長させるAlN単結晶の成長方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 C

Fターム (14件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG17 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077EG27 ,  4G077EH01 ,  4G077EH06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  4G077SA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化アルミニウムおよび窒化アルミニウム:炭化珪素合金から形成される模造ダイヤモンド半貴石
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-576089   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120637   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-515359   出願人：ボダコフ,ユーリアレクサンドラビッチ, カルポフ,セルゲイユーリエビッチ, マカロフ,ユーリーニコラエビッチ, モホフ,エフゲニーニコラエビッチ, ラム,マルクグリゴーリエビッチ, ロエンコフ,アレクサンドルドミトリエビッチ, セガール,アレクサンドルソロモノビッチ