特許

J-GLOBAL ID：200903059422502718

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタのドレイン電流を監視する回路構造体

発明者： ヨハン オベルハウザー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ ドイチェランド ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308531
公開番号（公開出願番号）：特開平7-005225
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタの過度に小さな電流を、極めて高い信頼性でもって検出することができ、かつ、構造が簡単で、かつ、遅延がないなどの優れた応答特註を有する、回路構造体を提供する。【構成】 MOS測定用トランジスタTD′とMOS電力用トランジスタTD′′とを得るために実効トランジスタ領域が分割され、かつ、前記2つのMOSトランジスタ部分TD′、TD′′のドレイン・ソース経路が電流ミラー回路SP1の異なる電流ループSZa、SZbの中に配置され、かつ、前記電流ミラーSP1が予め定めることが可能な基準電流Urefにより作動する、金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、すなわちTD、のドレイン電流を監視するための回路構造体か得られる。前記電流ミラー回路SP1は出力端子Eを有し、前記出力端子Eは、2個のMOS電界効果トランジスタTD′、TD′′のソース・ドレイン電圧の間の差に依存する監視信号を供給する。

請求項（抜粋）：

測定用電流(IM)を供給するMOS測定用トランジスタ(TD′)と電力出力を供給するMOS電力用トランジスタ(TD′′)とを提供するために、基板の上に形成された実効トランジスタ領域が分割された、金属・酸化物・半導体(MOS)電界効果トランジスタ(TD)のドレイン電流(IDS)を監視するための回路構造体であって、前記MOS測定用トランジスタ(TD′)と前記MOS電力用トランジスタ(TD′′)とのドレイン・ソース経路(D-S)が電流ミラー回路(SP1)の異なる電流ループ(SZa、SZb)の中に配置され、前記電流ミラー回路(SP1)は、予め定めることが可能な基準電流(Iref)により作動し、2個の前記MOS電界効果トランジスタ(TD′、TD′′)のソース・ドレイン電圧(UDS)の間の差に依存する監視信号を供給する出力端子(E)を有することとを特徴とする、金属・酸化物・半導体(MOS)電界効果トランジスタ(TD)のドレイン電流(IDS)を監視するための前記回路構造体。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 19/165 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 301 T ,  H01L 29/78 321 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-111916
  
• 特開昭62-274635
  
• 特開平3-111916
  
• 特開昭62-274635