特許
J-GLOBAL ID：200903059424107000
磁気抵抗効果素子および磁気記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326374
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 中間の非磁性金属層をできるだけ薄くした上で、強磁性層間の交換結合力を小さくすることによって、抵抗変化感度の向上を図った磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 一対の強磁性層1、1間に、少なくとも 2種類の非磁性金属材料からなる非磁性金属薄膜2a、2bの積層構造を有する中間非磁性金属層2を介在させた磁気抵抗効果素子である。中間非磁性金属層2は、強磁性層1との界面側に配置される非磁性金属薄膜2aのフェルミエネルギーが、強磁性層1のフェルミエネルギーのうち、電子スピン依存平均自由行程が長いスピン方向におけるフェルミエネルギーにより近い値を有し、かつ隣接する 2種類の非磁性金属薄膜2a、2b間のフェルミエネルギーの差が 0.5eV以上に設定されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層間に介在され、少なくとも 2種類の非磁性金属薄膜の積層構造を有する中間非磁性金属層とを具備する磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性層との界面側に配置される前記非磁性金属薄膜のフェルミエネルギーは、前記強磁性層のフェルミエネルギーのうち、電子スピン依存平均自由行程が長いスピン方向におけるフェルミエネルギーにより近い値を有し、かつ前記 2種類の非磁性金属薄膜間のフェルミエネルギーの差は 0.5eV以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, G11B 5/39
, H01L 43/10
