特許

J-GLOBAL ID：200903059426274663

埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 山下 茂雄 ,  依田 亮吉 ,  加藤 佳秋 ,  佐々木 真二 ,  苅田 秀孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253922
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111360
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流に起因するしきい電流値の変動を低減し、埋込型半導体レーザ素子の信頼性を高める。【構成】 p型半導体基板1の主面上に、p型クラッド層2A、半導体活性層3A、n型クラッド層4Aの夫々を順次積層した突出状島領域6が形成され、前記突出状島領域6の両側壁面に、p型クラッド層2Aの側壁面若しくはn型クラッド層4Aの側壁面と半導体活性層3Aの側壁面とで形成される凹状若しくは凸状の段差部7が形成され、前記突出状島領域6の両側壁面側であって前記p型半導体基板1の主面上に、n型電流ブロック層9、p型電流ブロック層10の夫々が形成され、前記突出状島領域6の凹状若しくは凸状の段差部7に、前記n型電流ブロック層9とp型電流ブロック層10との間の成長界面が固定され、かつ前記p型電流ブロック層10上及びn型クラッド層4A上にn型平坦化層12が形成された埋込型半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板の主面上に、このp型半導体基板の主面側からp型クラッド層、半導体活性層、n型クラッド層の夫々を順次積層した積層構造からなるストライプ状の突出状島領域が形成され、前記突出状島領域の長手方向の両側壁面に、前記p型クラッド層の側壁面若しくはn型クラッド層の側壁面と半導体活性層の側壁面とで形成される凹状若しくは凸状の段差部が形成され、前記突出状島領域の両側壁面側であって前記p型半導体基板の主面上に、このp型半導体基板の主面側からn型電流ブロック層、p型電流ブロック層の夫々が順次埋め込まれ、前記突出状島領域の両側壁面に形成された凹状若しくは凸状の段差部に、前記n型電流ブロック層とp型電流ブロック層との間の成長界面が固定され、かつ前記p型電流ブロック層上及びn型クラッド層上にn型平坦化層が形成されていることを特徴とする埋込型半導体レーザ素子。