特許

J-GLOBAL ID：200903059432496031

気相成長装置

発明者： 石幡 彰 ,  佐藤 裕輔 ,  大嶺 俊光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029225
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 装置の運転効率が低下することがなく、また形成した薄膜にばらつきが生じることのない気相成長装置を提供する。【構成】 本発明の気相成長装置1では、反応炉7の底壁7aに固定されたライナー管15にヒータ41を設けて、ライナー管15に付着した生成物を、エッチングガスでエッチング中にヒーター41によりライナー管15を加熱し、エッチング速度を進めて、生成物の除去を効率的に行なっている。これにより、装置の解体洗浄が不必要となり、装置の運転効率が向上し、形成した薄膜にばらつきが生じないようになる。

請求項（抜粋）：

原料ガスが供給される反応炉と、この反応炉内に配置されるサセプタと、このサセプタを加熱する第1の加熱手段とを具備した気相成長装置において、前記反応炉内に付着した生成物を除去するためのエッチングガスを前記反応炉内へ供給する供給手段と、前記生成物が付着している部分近傍をエッチング中に加熱する第2の加熱手段とを設けたことを特徴とする気相成長装置。