特許
J-GLOBAL ID：200903059433918070
薄膜誘電体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸石 光▲ひろ▼ (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178215
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028831
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 高い比誘電率を有する薄膜誘電体およびその製造方法を提供する。【構成】 本発明は、一般式(1-x)Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 -xPbTiO3 で示される組成を有し、平均膜厚が0.1〜10μm(ここでxは0.05≦x≦0.4)である薄膜誘電体、および該薄膜誘電体を製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が1〜30モル%の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一般式 (1-x)Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 -xPbTiO3 で示される組成を有し、平均膜厚が0.1〜10μm(ここでxは0.05≦x≦0.4)であることを特徴とする薄膜誘電体。
IPC (4件)：
H01B 3/00
, C04B 35/46
, H01B 3/12 313
, H01G 4/06 102
