特許

J-GLOBAL ID：200903059435339417

封止材用高純度シリカの製造方法

発明者： 中村 邦彦 ,  高松 富男
出願人/特許権者： 新日鐵化学株式会社
代理人 (1件)： 成瀬 勝夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286611
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 製鉄所の高炉等から副生するスラグを原料として、封止材用の高純度シリカの効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 スラグ又はスラグ誘導体を硫酸と反応させてせっこうを生成させ、析出したせっこうを固液分離し、分離された液の酸濃度を1規定以上に高めて非晶質シリカを析出させ、これを固液分離し、次いで非晶質シリカ中の金属不純物含有量が1000ppm (乾燥状態)以下となるまで純水で洗浄し、得られたシリカを乾燥し、焼成又は溶射する封止材用高純度シリカの製造方法。【効果】 製鉄所等の副生物であるスラグを原料として、硫酸や洗浄用純水という安価な原料から、極めて簡単なプロセスで、電子部品封止材用の高純度シリカを効率的に製造することができ、また、副産物としてセメント原料や建築材料として有用なせっこうを得ることができる。

請求項（抜粋）：

スラグ又はスラグ誘導体を硫酸と反応させてせっこうを生成させ、析出したせっこうを固液分離し、分離された液の酸濃度を1規定以上に高めて非晶質シリカを析出させ、これを固液分離し、ついで非晶質シリカ中の金属不純物含有量が1000ppm (乾燥状態)以下となるまで純水で洗浄し、得られたシリカを乾燥し、焼成又は溶射することを特徴とする封止材用高純度シリカの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/187 ,  B09B 3/00 ,  C01B 33/18

FI (3件)：

C01B 33/187 ,  C01B 33/18 D ,  B09B 3/00 304 C