特許

J-GLOBAL ID：200903059435491456

磁気検出素子及びその製造方法

発明者： 磯村 明宏 ,  荒井 賢一
出願人/特許権者： 株式会社トーキン ,  荒井 賢一
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244860
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090380
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 より高感度の検出素子を実現でき,渦電流損失が低減でき,高周波帯域での磁気特性が改善され,大きなインピ一ダンス変化率を有する磁気検出素子を提供すること。【解決手段】 磁性層10と導体層20とを備えた磁気検出素子において,前記磁性層10は,80-87at%Co-10〜17at%Nb-1〜6at%ZrのCo-Nb-Zr薄膜を含む。この磁気検出素子を製造するには,第1の磁性膜11上に第1の絶縁膜31を形成し,前記絶縁膜31上に導体層20を形成し,前記導体層20を両端部を残して覆うように,第2の絶縁膜32で覆い,前記第2の絶縁膜32を前記第1の磁性膜11と閉磁路を構成するように,第2の磁性膜12で覆う。

請求項（抜粋）：

磁性層とこれに隣接した導電層とを備えた磁気検出素子において,前記磁性層は,80-87at%Co-10〜17at%Nb-1〜6at%ZrのCo-Nb-Zr薄膜を含むことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (5件)：

G01R 33/02 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (6件)：

G01R 33/02 D ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-076923   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-136987   出願人：松下電器産業株式会社